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愛(ài)微電力電子與蘇州高邦半導(dǎo)體達(dá)成合作意向

發(fā)布日期:2024-02-21 15:15:24瀏覽次數(shù):1203

     2023年4月14日下午,蘇州高邦半導(dǎo)體科技有限公司項(xiàng)目研發(fā)經(jīng)理胡國(guó)輝以及南京芯干線科技有限公司功率模塊總監(jiān)陳云、封裝研發(fā)經(jīng)理許彪一行蒞臨愛(ài)微電子就氮化鎵GaN芯片設(shè)計(jì)封裝與愛(ài)微進(jìn)行了合作意向洽談,公司總經(jīng)理金英珉,銷(xiāo)售總監(jiān)付晨強(qiáng)就雙方合作做出了深入探討。

    在公司多媒體會(huì)議中心和萬(wàn)級(jí)凈化車(chē)間,蘇州高邦一行深入細(xì)致了解愛(ài)微半導(dǎo)體功能模塊產(chǎn)品專(zhuān)業(yè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)和具備有國(guó)際領(lǐng)先的進(jìn)口生產(chǎn)設(shè)備以及車(chē)規(guī)級(jí)量產(chǎn)360萬(wàn)片/年的生產(chǎn)能力。通過(guò)實(shí)地考察和交流,蘇州高邦半導(dǎo)體一行對(duì)愛(ài)微功率半導(dǎo)體/功率模塊的設(shè)計(jì)研發(fā)生產(chǎn)技術(shù)工作等方面給予充分肯定和高度評(píng)價(jià)。

    氮化鎵(GaN),是由氮和鎵組成的一種半導(dǎo)體材料,因?yàn)槠浣麕挾却笥?.2eV,又被稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體材料,在國(guó)內(nèi)也稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場(chǎng)、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕以及抗輻射性能等優(yōu)點(diǎn),從而可以采用氮化鎵制作半導(dǎo)體材料,而得到氮化鎵半導(dǎo)體器件。

  愛(ài)微電力電子的車(chē)規(guī)級(jí)IGBTMOSFET以及SIC功率模塊生產(chǎn)線可以滿足不同客戶優(yōu)質(zhì)設(shè)計(jì)方案,不斷更新技術(shù)適應(yīng)功率半導(dǎo)體的迭代進(jìn)步,在研發(fā)設(shè)計(jì)和量產(chǎn)方案時(shí)會(huì)有非常突出的優(yōu)勢(shì)。IA公司在這一領(lǐng)域擁有超過(guò)20年的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn),可以為國(guó)內(nèi)外不同客戶提供專(zhuān)業(yè)的、全面的、高可靠性應(yīng)用方案。


    蘇州高邦半導(dǎo)體研發(fā)經(jīng)理胡國(guó)輝表示通過(guò)此次考察調(diào)研,更直觀的看到了愛(ài)微(江蘇)電力電子的軟硬件實(shí)力,對(duì)愛(ài)微電子未來(lái)在車(chē)規(guī)級(jí)IGBTMOSFET以及SIC功率模塊行業(yè)發(fā)展中充滿信心。希望在設(shè)計(jì)和封裝GaN的功率模塊領(lǐng)域,雙方將會(huì)進(jìn)一步深入探討合作模式和路徑,細(xì)化合作方案。



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