愛微電子SIC MOSFET 碳化硅功率模塊上線
發(fā)布日期：2024-02-21 15:31:53瀏覽次數(shù)：1263
愛微電力電子基于半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)，全新推出“SiC MOSFET功率模塊新品APS005B120SSND4、APS005B120TNND6、P2S0150ESD0120M、P2S0300S620120M”。可應(yīng)用于汽車的電源和空調(diào)壓縮機。
與傳統(tǒng)的硅器件相比，碳化硅 (SiC) 器件由于擁有低導(dǎo)通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能，已經(jīng)成為下一代低損耗半導(dǎo)體可行的候選器件。此外，SiC讓設(shè)計人員能夠減少元件的使用，從而進一步降低了設(shè)計的復(fù)雜程度。SiC元器件的低導(dǎo)通電阻特性有助于顯著降低設(shè)備的能耗，從而有助于設(shè)計出能夠減少CO排放量的環(huán)保型產(chǎn)品和系統(tǒng)。 愛微在SiC功率元器件和模塊的開發(fā)領(lǐng)域處于行業(yè)先進地位，已完成這種電能損耗小，系統(tǒng)成本降低、系統(tǒng)效率提升的SiC技術(shù)變革并已達到量產(chǎn)水平。愛微電力電子設(shè)計研發(fā)的SiC碳化硅功率模塊將會使電動車的續(xù)航里程更長、能效更高、加速更快。
針對傳統(tǒng)工控、儲能逆變等不同的客戶需求，愛微電力電子依托先進的第三代半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線，可響應(yīng)不同封裝及規(guī)格的 SiC 功率模塊定制開發(fā)需求，為客戶提供高質(zhì)量的定制化產(chǎn)品服務(wù)。
